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筛选条件 / 第三届 / 特等奖
第三届
技术发明奖

  • 高压高功率密度IGBT芯片研发及其应用

    主要完成人
    刘国友，丁荣军，刘可安，覃荣震，黄建伟，罗海辉，彭勇殿，舒丽辉，李世平，张泉，吴煜东，黄蓉，潘昭海，吴义伯，忻兰苑
    主要完成单位
    株洲南车时代电气股份有限公司
科技进步奖
技术创新奖（原优秀产品创新奖）

原“优秀产品创新奖”在2024年第十届电源科技奖调整为“技术创新奖”

科技成就奖（原杰出贡献奖）

原“杰出贡献奖”在2024年第十届电源科技奖调整为“科技成就奖”

青年科技创新奖（原优秀青年奖）

原“青年奖（优秀类）”在2024年第十届电源科技奖调整为“青年科技创新奖”